（通讯员 黄少博/许云丽）7月14日上午，中科院半导体研究所刘雄华研究员应邀到三峡大学理学院进行学术交流。本次交流主题为“反铁磁自旋调控”。三峡大学理学院、湖北省弱磁探测工程技术研究中心老师和研究生共同参加。

在报告中，刘雄华研究员介绍了如何利用电学方法有效操控、探测反铁磁的磁化状态，以及设计并制备基于反铁磁材料的新型拓扑自旋结构是其在信息存储或自旋逻辑器件中亟待解决的关键问题。其中（1）电流调控反铁磁界面自旋：利用电流诱导的自旋轨道矩效应实现了反铁磁界面自旋的高度可调性，促进了新型自旋电子器件的创新设计（2）非共线反铁磁自旋调控：通过层间交换耦合实现了对自旋输运的振荡调控，为理解和利用反铁磁界面自旋开辟了新的途径，为反铁磁自旋电子学的进一步发展提供了可行的解决方案。

报告结束后，刘雄华研究员就与会师生提出的相关问题作了解答，并与学院师生进行了热烈讨论，大家对这一研究有了更深入的了解，开阔了广大师生的视野。

刘雄华，中国科学院半导体研究所研究员。2012年在中国科学院金属研究所获得博士学位，2012年至2017年在德国马克斯普朗克固体化学物理研究所从事博士后研究，2018年加入中国科学院半导体研究所，主要开展自旋电子学微纳器件的物性调控研究。多年来，以第一作者/通讯作者身份在Natl. Sci. Rev、Adv. Mater.、 npj Quantum Mater.、 Phys.Rev. Applied、Phys.Rev.B、Appl.Phys.Lett.等期刊发表学术论文30余篇。