（通讯员 康思新/许鹏）2024年4月26日下午，复旦大学微电子学院陈时友研究员应邀到三峡大学理学院进行学术交流。本次交流活动的主题是“半导体缺陷和杂质的第一性原理计算研究”。三峡大学理学院、湖北省弱磁探测工程技术研究中心老师和研究生，以及理学院物理专业部分本科生共同参加，讲座由潘礼庆教授主持。

在报告中，陈时友研究员介绍了缺陷在半导体材料性质和器件性能调控的重要作用；分享了其团队开发的用于研究半导体缺陷和杂质第一性原理计算模拟软件；针对该软件的输入信息、调用材料基因组数据库和第一性原理软件进行了详细介绍。最后以详实案例展示了解决半导体缺陷研究中材料的热力学稳定性、元素化学势范围、缺陷的形成能及离化能级；样品中缺陷、杂质浓度和载流子密度及费米能级的关系；关键缺陷诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射复合速率及少子寿命、偏压对半导体器件可靠性的影响等问题的方法。陈研究员的报告激发了在场学者对未来材料设计与半导体器件优化的兴趣。

在问答环节中，面对师生们提出的专业问题，陈研究员给予深入细致的解答，展现了其深厚的学术功底与广阔的学术视野。这场报告加深了参与者关于缺陷对半导体材料性质和半导体器件性能调控等问题的理解，也为理学院的学术氛围增添了新的活力。

陈时友，复旦大学微电子学院研究员。2009年获复旦大学物理专业博士学位，2011年5月至2013年05月在劳伦斯-伯克利国家实验室从事博士后研究，2021年3月起任复旦大学微电子学院研究员。主要从事半导体材料和器件的计算仿真和理论设计研究，包括多元化合物半导体、缺陷和杂质物理、电子器件的原子级仿真方法和TCAD软件、辐照损伤和可靠性物理等方面。在Nat. Comput. Sci., Nat. Nanotech., Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater.等期刊发表论文150余篇，SCI引用14000余次。曾入选国家领军人才计划、优青、上海市优秀学术带头人，获教育部自然科学一等奖、中国电子学会自然科学二等奖、中国材料研究学会计算材料学青年奖、上海市青年科技英才、第七届中国科协优秀科技论文奖等。