通讯员 杨磊/陈玉）2月19日上午，德州大学达拉斯分校胡耀乔博士应邀到三峡大学理学院进行学术交流。本次交流主题为“Rational design of oxide semiconductors for three-dimensional vertically integrated transistors”。三峡大学理学院、湖北省弱磁探测工程技术研究中心老师和研究生，以及理学院物理专业部分本科生共同参加，讲座由樊帅伟老师主持。

在报告中，胡耀乔博士介绍了晶体管的发展历程、遇到的瓶颈和后端工艺集成技术，以及氧化物半导体在晶体管三维垂直集成设计中的应用。针对了基于Sn、Pb元素的高迁移率p型氧化物半导体设计的思路及其方法，非晶材料p型缺陷研究的相关问题进行了详细介绍。

报告结束后，胡耀乔博士就与会师生提出的相关问题作了解答，并与学院师生进行了热烈地讨论大家对这一研究方向有了更深入的了解，开阔了广大师生的视野。

胡耀乔，美国德州大学达拉斯分校博士在读。2018年获得香港科技大学硕士学位，2015年获得南开大学学士学位。曾在美国德州仪器公司担任研发工程师。研究领域为半导体材料及其微纳电子器件的开发和应用，已在Nature、Nature Commun.、Chem. Mater.、Nano Lett.等学术期刊发表学术论文20余篇。